晶体管检测

晶体管检测项目

　　共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路、截止频率、饱和电流、跨导、反向漏电流、输出电容、输入电容、漏极电流、射极电流、开启电压、关断电压、放大倍数、噪声系数、稳定性、温度特性、频率响应测试等。

　　北检(北京)检测技术研究院支持依据相应标准通过直流法、脉冲法、交流法、阶跃激励法等方法进行晶体管检测。北检院实验室能够按照标准化的检测要求，为您提供高效、准确的分析测试服务;同时，我们也能够提供针对个性化需求的非标定制化检测服务。试验周期：常规试验到样后 7-15个工作日出具检测报告。

服务范围

　　晶体管检测样品一般包括：

　　基础二极管、功率晶体管、放大器晶体管、开关晶体管、场效应晶体管、双极性晶体管、细尖晶体管样品等。

　　硅晶体管、锗晶体管、碳化硅晶体管、氮化镓晶体管、磷化铟晶体管、硒化铟晶体管、金属-氧化物-半导体晶体管样品等。

相关仪器设备

　　晶体管检测方法及部分仪器设备：

　　电流增益测试方法：使用万用表、信号源等仪器，测量晶体管的电流增益。常见方法包括直流法、交流法等。

　　漏电流测试方法：使用万用表等仪器，测量晶体管的漏电流。常见方法包括正向偏压法、反向偏压法等。

　　饱和电压测试方法：使用电子负载等仪器，测量晶体管的饱和电压。常见方法包括直流法、脉冲法等。

　　输入电阻测试方法：使用万用表等仪器，测量晶体管的输入电阻。常见方法包括小信号等效电路法、大信号开路法等。

　　噪声系数测试方法：使用噪声测试仪器等仪器，测量晶体管的噪声系数。常见方法包括Y-参数法、反向散射系数法等。

　　截止频率测试方法：使用示波器、信号源等仪器，测量晶体管的截止频率。常见方法包括小信号等效电路法、S参数法等。

　　输出电容测试方法：使用LCR表等仪器，测量晶体管的输出电容。常见方法包括缓慢扫描法、快速脉冲法等。

参考标准

　　GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

　　GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

　　BS EN 150003-1993 电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范.低频放大用管壳额定双极晶体管

　　GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

　　BS EN 150004-1993 电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范.开关用双极晶体管

　　BS EN 150007-1993 电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范.高频放大用管壳额定的双极晶体管

　　BS EN 150012-1993 电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范.单栅场效应晶体管

　　BS IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管

　　CECC 50 002- 003 ISSUE 2-1978 环境评级低频放大用密封晶体管

　　CECC 50 002- 007 ISSUE 1-1977 环境评级低频放大用双极晶体管

　　CECC 50 002- 012 ISSUE 2-1980 环境评级低频放大用晶体管

　　CECC 50 002- 015-016 IS 2-1977 环境评级低频放大用双极晶体管

　　CECC 50 002- 022-024 IS 2-1977 环境评级低频放大用双极晶体管

　　CECC 50 002- 028-029 IS 2-1978 负极-正极-负极硅制金属外壳封装环境评级低频放大用双极晶体管

　　CECC 50 002- 100 ED 3-1986 环境评级低频和高频放大用硅制双极晶体管

　　以上是关于晶体管检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、方法和步骤以与工程师沟通为准。北检研究院将持续跟进新的技术和标准，工程师会根据不同产品类型的特点，选取相应的检测项目和方法，以最大程度满足客户的需求和市场的要求。